商品名稱：SAK-TC275TC-64F200W DC
數(shù)據(jù)手冊：
SAK-TC275TC-64F200W?DC.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：176-LQFP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：5000 件
SAK-TC275TC-64F200W DC是一個通用定時器模塊（GTM），提供一套強大的數(shù)字信號濾波和定時器功能，以實現(xiàn)自主和復(fù)雜的輸入/輸出管理。
產(chǎn)品規(guī)格
核心尺寸 32位三核
速度 200MHz
外圍設(shè)備 DMA、POR、WDT
程序內(nèi)存大小 4MB（4M x 8）
程序存儲器類型FLASH
EEPROM尺寸24K x 8
內(nèi)存大小424K x 8
電壓-電源（Vcc/Vdd）1.17V~5.5V
振蕩器類型 外部
工作溫度 -40°C~125°C（TA）
型號：SAK-TC275TC-64F200W DC
封裝：176-LQFP
類型：32位三核微控制器IC
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描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格：產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率，降低結(jié)溫和外殼溫度，從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V，同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…
IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…
IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V，15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：34 A電流 - 集…
IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下：特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt…
IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格：IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最…電話咨詢：86-755-83294757
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