商品名稱:IKQB120N75CP2
數(shù)據(jù)手冊:IKQB120N75CP2.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IKQB120N75CP2 750V、120A EDT2 硬開關(guān)分立器件,采用 TO-247PLUS SMD 封裝技術(shù),旨在滿足物流車輛、卡車和客車驅(qū)動逆變器等 CAV 應用的需求。
規(guī)格
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 750 V
集電極—射極飽和電壓: 1.65 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 150 A
Pd-功率耗散: 577 W
最小工作溫度: - 40°C
最大工作溫度: + 175°C
系列: IKQBXN75CP2
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 120 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標準 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過改進 .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時保持較小的占位面積,這是功率密度提…IMTA65R026M2H
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