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IPB055N08NF2S 2功率MOSFET是N溝道、正常電平、100%經過雪崩測試的MOSFET。英飛凌StrongIRFET 2 MOSFET優(yōu)化用于各種應用。這些MOSFET的VDS范圍為80V至100V，RDS(on)范圍為2.4mΩ至8.2mΩ。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：94A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5.5 毫歐 @ 60A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 55μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2500 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）：107W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO263-3

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。