商品名稱:IPT60R050G7
數(shù)據(jù)手冊:IPT60R050G7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerSFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPT60R050G7 是 CoolMOS? C7 Gold 超級結(jié) MOSFET 系列 (G7),匯集了改進型 600V CoolMOS? C7 Gold 技術(shù)、4 引腳開爾文源能力和 TO-Leadless (TOLL) 封裝的改進型熱特性等優(yōu)勢,可為功率因數(shù)校正 (PFC) 等高達 3kW 的大電流硬開關(guān)拓撲和高端 LLC 等諧振電路提供 SMD 解決方案。
特性概述
CoolMOS? C7 Gold SJ MOSFET
提供同類最佳的 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使同類最佳的 R DS(on) 封裝在最小基底面的 TO 無引線封裝中
內(nèi)置 4 引腳開爾文源配置和低寄生源電感 (~1nH)
符合 MSL1 標(biāo)準(zhǔn),完全無鉛,具有易于目視檢查的溝槽引線
可提高熱性能 R th
潛在應(yīng)用
電信
服務(wù)器
太陽能
工業(yè) SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應(yīng)用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機驅(qū)動器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級結(jié)(SJ)原理設(shè)計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性,可實現(xiàn)快速設(shè)計導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術(shù),可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…電話咨詢:86-755-83294757
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