商品名稱:ISC015N04NM5
數(shù)據(jù)手冊:ISC015N04NM5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:10000 件
ISC015N04NM5 采用 SuperSO8 封裝的正常電平 OptiMOS? 5 低壓 MOSFET 40V。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 33A(Ta),206A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 7V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 1.5 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 3.4V @ 60μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 67 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 4800 pF @ 20 V
功率耗散(最大值): 3W(Ta),115W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TDSON-8 FL
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
應(yīng)用
電池供電應(yīng)用
電動工具
電池管理
低壓驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應(yīng)用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機驅(qū)動器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級結(jié)(SJ)原理設(shè)計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性,可實現(xiàn)快速設(shè)計導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術(shù),可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標準,且…電話咨詢:86-755-83294757
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