商品名稱:NTTFS012N10MDTAG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTTFS012N10MDTAG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:WDFN-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NTTFS012N10MDTAG N 溝道 MV MOSFET 采用先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn),該工藝結(jié)合了屏蔽柵極技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度地降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)保持出色的開關(guān)性能和極低的 Qg 和 Qoss。
特性
屏蔽柵 MOSFET 技術(shù)
VGS = 10 V、ID = 15 A 時(shí),最大 rDS(on) = 14.4 mΩ
VGS = 6 V、ID = 7.5 A 時(shí),最大 rDS(on) = 21 mΩ
Qrr 比其他 MOSFET 供應(yīng)商低 50
降低開關(guān)噪聲/EMI
堅(jiān)固的 MSL1 封裝設(shè)計(jì)
100% UIL 測(cè)試
符合 RoHS 規(guī)范
極低 RDS*Qoss
應(yīng)用
該產(chǎn)品用途廣泛,適用于多種不同應(yīng)用。
隔離式 DC-DC 初級(jí)開關(guān)
AC-DC 同步整流
高開關(guān)頻率同步降壓
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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