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ATSAMV70N19B-CB基于ARM的閃存MCU是基于高性能32位ARM? Cortex?-M7處理器（帶浮點單元 (FPU)）的一系列閃存MCU。該器件的工作頻率高達(dá)300MHz，具有高達(dá)2048KB的閃存和高達(dá)384KB的多端口SRAM。

特性

內(nèi)核

ARM Cortex-M7，運行頻率為300MHz

16KB指令高速緩存和16KB數(shù)據(jù)高速緩存，帶糾錯碼 (ECC)

單精度和雙精度硬件浮點單元 (FPU)

16區(qū)內(nèi)存保護單元 (MPU)

DSP指令、Thumb?-2指令集

嵌入式跟蹤模塊 (ETM)，帶指令跟蹤流，包括跟蹤端口接口單元 (TPIU)

存儲器

高達(dá)2048KB嵌入式閃存，具有唯一標(biāo)識符和用戶簽名，用于用戶定義的數(shù)據(jù)

高達(dá)384KB嵌入式多端口SRAM

緊耦合內(nèi)存 (TCM) 接口，具有四種配置（禁用、2x32KB、2x64KB、2x128KB）

帶嵌入式啟動加載程序 (UART0, USB) 和IAP例程的16KB ROM

16位靜態(tài)存儲控制器 (SMC)，支持SRAM、PSRAM、LCD模塊、NOR閃存和NAND閃存，具有即時編程功能

16位SDRAM控制器 (SDRAM)，可連接高達(dá)256MB內(nèi)存并具有即時編程功能

產(chǎn)品屬性

核心處理器： ARM? Cortex?-M7  

內(nèi)核規(guī)格： 32 位單核  

速度： 300MHz  

連接能力： CANbus，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD/SDIO，QSPI，SPI，SSC，UART/USART，USB  

外設(shè)： 欠壓檢測/復(fù)位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT  

I/O 數(shù) ：75  

程序存儲容量： 512KB（512K x 8）  

程序存儲器類型： 閃存  

RAM 大小：256K x 8  

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)： 3V ~ 3.6V  

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 10x12b；D/A 2x12b  

振蕩器類型： 內(nèi)部  

工作溫度： -40°C ~ 105°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 100-TFBGA  

供應(yīng)商器件封裝： 100-TFBGA（9x9）

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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