商品名稱:IMT65R039M1HXUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMT65R039M1HXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8-1
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMT65R039M1HXUMA1 CoolSiC? 650V MOSFET將碳化硅的物理強(qiáng)度與放大器件性能、可靠性和易用性相結(jié)合。 憑借其最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝,CoolSiC? MOSFET在應(yīng)用中提供最低的損耗,在操作中提供最高的可靠性。CoolSiC非常適合在高溫和惡劣環(huán)境應(yīng)用中使用。
特性
?優(yōu)化了高電流下的開關(guān)行為
?換向堅(jiān)固耐用的快體二極管,QF低
?優(yōu)越的氧化物可靠性
?TJ,Max=175°CanExcellentThermalBehavior
?較低的RDS(開啟)和PUL安全性對(duì)溫度的依賴性
?提高雪崩能力
?兼容標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器(推薦驅(qū)動(dòng)電壓:0V-18V)
?KelvinSource提供高達(dá)4倍的低開關(guān)損耗
應(yīng)用
?SMPS
?UPS(不間斷電源)
?太陽(yáng)能光伏逆變器
?EV充電基礎(chǔ)設(shè)施
?儲(chǔ)能和電池形成
?D類放大器
型號(hào)
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描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMDQ75R016M2H
AIMDQ75R016M2H是(Infineon)推出的第二代碳化硅MOSFET,具有改進(jìn)的開關(guān)性能、更低的損耗和增強(qiáng)的熱管理。與第 1 代產(chǎn)品相比,開關(guān)速度提高了 25%,品質(zhì)因數(shù)提高了 35%,為汽車應(yīng)用提供了更高效、更緊湊、更可靠的系統(tǒng)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)…AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款750V G2碳化硅MOSFET,具有高效率,高可靠性、能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動(dòng)的寄生導(dǎo)通特性。該MOSFET在圖騰柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬開關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾男阅?。技術(shù)規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? 系列汽車級(jí)碳化硅MOSFET ,屬于750V第二代產(chǎn)品,采用Q-DPAK頂側(cè)散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場(chǎng)景:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最…IRFPW4468PBF
IRFPW4468PBF是(Infineon)推出的 HEXFET 功率 MOSFET ,屬于 StrongIRFET? 系列,采用 TO-247 封裝。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):100 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Ta),195A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…IAUCN08S7N016
IAUCN08S7N016 是一款采用 Infineon 領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體技術(shù)構(gòu)建的OptiMOS? 7 80V 汽車 MOSFET。該產(chǎn)品采用創(chuàng)新的頂部冷卻 SSO10T 5x7 mm2 SMD 封裝。IAUCN08S7N016專為滿足要求苛刻的汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(…電話咨詢:86-755-83294757
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