商品名稱:NVBG015N065SC1
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVBG015N065SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7L
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NVBG045N065SC1 650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-7L
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 145 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V
Qg-柵極電荷: 283 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
商標(biāo): onsemi
配置: Single
下降時(shí)間: 9.6 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 42 S
上升時(shí)間: 26 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 49 ns
典型接通延遲時(shí)間:23 ns
典型應(yīng)用
汽車板載充電器
用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車的汽車 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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