商品名稱:1EDN7136GXTMA1
數(shù)據(jù)手冊:1EDN7136GXTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:10-VFDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
1EDN7136GXTMA1是一款單通道柵極驅(qū)動器集成電路,經(jīng)過優(yōu)化,可用于驅(qū)動英飛凌 CoolGaN? 肖特基柵極。該柵極驅(qū)動器具有多項(xiàng)關(guān)鍵特性,可實(shí)現(xiàn)具有快速開關(guān)晶體管的高性能系統(tǒng)設(shè)計(jì),包括真正的差分輸入TDI?、四種驅(qū)動強(qiáng)度選項(xiàng)、有源米勒箝位、自舉電壓箝位和可調(diào)電荷泵。
產(chǎn)品屬性
驅(qū)動配置:高壓側(cè)或低壓側(cè)
通道類型:獨(dú)立式
驅(qū)動器數(shù):2
柵極類型:N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電:4.2V ~ 11V
電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1A,1A
輸入類型:非反相
上升/下降時(shí)間(典型值):5.5ns,5.5ns
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:10-VFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:PG-VSON-10-4
應(yīng)用
● 單通道
● 同步整流器
● E 級諧振無線電源
● 半橋 ?у x тEDNштxчG?:
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● BLDC/PMSM 電機(jī)驅(qū)動器
● D 類音頻放大器
● D 類諧振無線電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB095N20NM6
IPB095N20NM6功率MOSFET是一款N溝道正常電平MOSFET,采用PG-TO263-3封裝。它具有優(yōu)良柵極電荷 xRDS(on) 積 (FOM)、極低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和低導(dǎo)通電阻RDS(on) 。該產(chǎn)品符合IEC61249?2?21規(guī)定的無鹵素要求,根據(jù)J?STD-020標(biāo)準(zhǔn)分類潮濕敏感度等級為 (MSL 1) 。IPB095N…IPW65R018CM8
IPW65R018CM8是(Infineon)推出的650V CoolMOS? 8 代超結(jié)(SJ)MOSFET,屬于第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):116A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)…IPW65R025CM8
IPW65R025CM8是(Infineon)推出的一款CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,它根據(jù)超級結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì),具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有優(yōu)異的換向耐受性,因此適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):…IPW65R060CM8
IPW65R060CM8是一款45 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。IPW65R060CM8具有優(yōu)異的換向耐受性,因此適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(…IMDQ75R025M2H
IMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款CoolSiC? 750V G2碳化硅MOSFET,其設(shè)計(jì)具有高效率,能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動的寄生導(dǎo)通,以及具有可靠性。這款CoolSiC? 750V G2 MOSFET改進(jìn)了柵極控制,使得最大漏-源導(dǎo)通電阻在25 m?以下,讓開關(guān)損耗也尤為突出。主要規(guī)格FET 類…電話咨詢:86-755-83294757
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