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產(chǎn)品說明:Nano Cap?,EcoGaN?,650V 150mΩ 2MHz,GaN HEMT 功率級 IC
封裝:VQFN-46產(chǎn)品說明:1200V N通道 4引腳封裝 SiC(碳化硅)MOSFET
封裝:TO-247-4L產(chǎn)品說明:1200V, 55A, 4引腳THD, 溝槽結(jié)構(gòu) 車載SiC-MOSFET
封裝:TO-247-4L產(chǎn)品說明:650V, 70A, 4引腳THD, 溝槽結(jié)構(gòu) 車載SiC-MOSFET
封裝:TO-247-4L產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 132 A 348 W 通孔 TO-247N
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 96 A 254 W 通孔 TO-247N
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 45 A 94 W 通孔 TO-3PFM
封裝:TO-3PFM產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 80 A 214 W 通孔 TO-247N
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 45 A 89 W 通孔 TO-3PFM
封裝:TO-3PFM產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 64 A 178 W 通孔 TO-247N
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 35 A 72 W 通孔 TO-3PFM
封裝:TO-3PFM產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽型場截止 650 V 39 A 85 W 通孔 TO-3PFM
封裝:TO-3PFM產(chǎn)品說明:IGBT 溝槽場截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N
封裝:TO-247N電話咨詢:86-755-83294757
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