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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

IQD020N10NM5SC

產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02

封裝：PG-WHSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUMN10S5N016G

產(chǎn)品說(shuō)明：100V，N-Ch，最大 1.6 mΩ，汽車 MOSFET，mTOLG (8x8)，OptiMOS? 5

封裝：PG-HSOG-4
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUMN10S5N017G

產(chǎn)品說(shuō)明：100V，N-Ch，最大 1.7 mΩ，汽車 MOSFET，mTOLG (8x8)，OptiMOS? 5

封裝：PG-TDSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN08S7N019

產(chǎn)品說(shuō)明：80V，N-Ch，最大 1.9 mΩ，汽車 MOSFET，SSO8 (5x6)，OptiMOS? 7

封裝：PG-TDSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUMN08S5N013G

產(chǎn)品說(shuō)明：表面貼裝型 N 通道 80 V 250A（Tj） 307W（Tc） PG-HSOG-4-1

封裝：PG-HSOG-4
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD016N08NM5SC

產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。

封裝：PG-WHSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUMN08S5N012G

產(chǎn)品說(shuō)明：表面貼裝型 N 通道 80 V 300A（Tj） 325W（Tc） PG-HSOG-4-1

封裝：PG-HSOG-4
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN08S7N034

產(chǎn)品說(shuō)明：80V，N-Ch，最大 3.4 mΩ，汽車 MOSFET，SSO8 (5x6)，OptiMOS? 7

封裝：PG-TDSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD016N08NM5CGSC

產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)

封裝：PG-WHTFN-9
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN08S7N024

產(chǎn)品說(shuō)明：80V，N-Ch，最大 2.4 mΩ，汽車 MOSFET，SSO8 (5x6)，OptiMOS? 7

封裝：PG-TDSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD009N06NM5SC

產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHSON-8-U02

封裝：PG-WHSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH88N06LM5CGSC

產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)

封裝：PG-WHTFN-9
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD009N06NM5CGSC

產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 60 V 42A（Ta），445A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02

封裝：PG-WHTFN-9
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH88N06LM5SC

產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)

封裝：PG-WHSON-8
10起
1680
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUMN04S7N006G

產(chǎn)品說(shuō)明：200 A、40 V、采用 OptiMOS?-7 技術(shù)的汽車功率 MOSFET

封裝：PG-HSOG-4
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IQD005N04NM6CGSC

產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V 正常電平，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝

封裝：PG-WHTFN-9
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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