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AI 處理器

AI 加速器

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規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買(mǎi)數(shù)量

單價(jià)

操作

C3M0060075K1

產(chǎn)品說(shuō)明:750V、60mΩ、35A、MOS 分立式碳化硅功率 MOSFET 晶體管,TO-247-4

封裝:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0045075J2

產(chǎn)品說(shuō)明:750 V, 45 mΩ, 46 A, TO-263-7 封裝,第四代分立碳化硅MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0025075K1

產(chǎn)品說(shuō)明:750V、25mΩ、80A、碳化硅功率 MOSFET 晶體管,TO-247-4

封裝:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB760M12HM3R

產(chǎn)品說(shuō)明:1200V、1.33mΩ 半橋并聯(lián)碳化硅電源模塊

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0013120K

產(chǎn)品說(shuō)明:1200 V, 13 mΩ, TO-247-4 封裝,第三代分立碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120J2

產(chǎn)品說(shuō)明:1200V、160mΩ、18A E 系列汽車(chē)碳化硅 MOSFET 晶體管

封裝:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0045065K

產(chǎn)品說(shuō)明:650 V, 45 mΩ, 46 A, TO-247-4 封裝,第三代分立碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M1000170J

產(chǎn)品說(shuō)明:1700V 1000mΩ 5.3A 第 2 代分立式碳化硅 MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120K

產(chǎn)品說(shuō)明:1200 V, 160 mΩ, 17 A, TO-247-4 封裝,第三代分立碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0021120J2

產(chǎn)品說(shuō)明:1200V、21mΩ、114A 汽車(chē)碳化硅 MOSFET 晶體管,采用 TO-263-7 封裝

封裝:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120D

產(chǎn)品說(shuō)明:1200 V, 160 mΩ, 17 A, TO-247-3 封裝,第三代分立碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0350120D

產(chǎn)品說(shuō)明:1200V 350mΩ 7.6A 第 3 代分立式碳化硅 MOSFET

封裝:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS480M12HM3

產(chǎn)品說(shuō)明:1200V、2.29mΩ、62mm HM 高性能半橋 SiC 功率模塊

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0120065J

產(chǎn)品說(shuō)明:650V 120mΩ 21A 第 3 代分立式碳化硅 MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0075120J

產(chǎn)品說(shuō)明:1200V 75 mΩ 30A 第 3 代分立式碳化硅 (SiC) MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS175M12BM3

產(chǎn)品說(shuō)明:1200V、8mΩ 半橋碳化硅功率模塊

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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