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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

NXH100T120L3Q0S1NG
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLATED DBC

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NFA41560R42
ON

產(chǎn)品說明：智能功率模塊 (IPM) SPM45, 600V, 15A

封裝：DIP-26
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NFA50460R47
ON

產(chǎn)品說明：Motion SPM 5 系列智能功率模 - IPM, 600V, 4A, SMD

封裝：SPM5Q-23
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NFVA34065L32
ON

產(chǎn)品說明：3相 650 V、40 A 汽車智能功率模塊 (IPM)

封裝：DIP-27
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NFVA22512NP2T
ON

產(chǎn)品說明：ASPM34 系列汽車級 3相 1200V 25A IGBT智能功率模塊

封裝：DIP-34
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NFL25065L4BT
ON

產(chǎn)品說明：PFC SPM? 2 系列，650 V, 50 A 用于 2 相交錯 PFC的 (IPM) 模塊

封裝：DIP-32
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NFCS1060L3TT
ON

產(chǎn)品說明：2合1 PFC和逆變器智能功率模塊 (IPM), 600 V, 10 A

封裝：SIP-35
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVGS3443T1G
ON

產(chǎn)品說明：單 P 溝道功率 MOSFET -20V、-4.4A、65mΩ

封裝：TSOP-6
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP57302DSADJR4G
ON

產(chǎn)品說明：LDO 穩(wěn)壓器，3 A，低漏，高 PSRR，快速瞬變響應(yīng)

封裝：D2PAK-5
10起
2412
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP45770IMN24TWG
ON

產(chǎn)品說明：負載開關(guān)，集成式，ecoSWITCH?，3.6 mΩ，24V，20A，故障保護

封裝：DFN-12
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L032N065M3S
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET – EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH020P120MNF1PG
ON

產(chǎn)品說明：1200V 20 歐姆碳化硅模塊

封裝：模塊
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FSBB10CH120DFL
ON

產(chǎn)品說明：IPM智能功率模塊，1200V，10A

封裝：SPMMC-27
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
AP0101AT2L00XPGA0-DR2
ON

產(chǎn)品說明：1 MP，高動態(tài)范圍、適合汽車的圖像信號處理器

封裝：VFBGA-81
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL032N065M3S
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L032N065M3S
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共1538記錄?上一頁12345...97下一頁?
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